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本論文利用溶膠凝膠法在鍍有Pt下電極之矽基板上成長無鉛非當量鈮酸鈉鉀薄膜(NKN-based)，透過不同RTA退火溫度及高溫爐溫度調控，搭配XRD、XRR、SEM、XPS、J-E、εr、tanδ、室溫P-E及變溫P-E等量測，試圖找出較有利於鐵電記憶體的製程溫度條件，並且利用額外摻雜適量Li元素進入NKN結構的方式，改善薄膜之微結構並提升其電特性，進一部探討對於鐵電記憶體之影響。
從本研究可知，隨著RTA退火溫度逐漸提高，特性有所提升，主要是因為薄膜結晶性變好、緻密性變高，而當RTA溫度達 750 oC並
從本研究可知，隨著RTA退火溫度逐漸提高，特性有所提升，主要是因為薄膜結晶性變好、緻密性變高，而當RTA溫度達 750 oC並
- 出版地 ： 臺灣
- 語言 ： 繁體中文
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